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96层TLC+群联主控|新一代英睿达P2 500GB实测

发布时间：2021-12-27

英睿达近一年来在SSD产品上的布局颇有烈火烹油.鲜花着锦之感.不仅产品日益成熟.也走出了自己的路.之前我们评测过的英睿达P5 SSD.用的是美光自家主控.也算打破了美光只做颗粒.不做主控的[传统". ...<全部>

技术百科

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96层TLC+群联主控|新一代英睿达P2 500GB实测

发布时间：2021-04-23

英睿达近一年来在SSD产品上的布局颇有烈火烹油.鲜花着锦之感.不仅产品日益成熟.也走出了自己的路.之前我们评测过的英睿达P5 SSD.用的是美光自家主控.也算打破了美光只做颗粒.不做主控的[传统".今天入手的. ...<全部>

技术百科

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TLC
英睿达

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敏博工业级万次抹写3D TLC SSD.含多项电源管理保护机制

发布时间：2021-03-29

在5G与AIoT大量设备联网创造出更多科技发展与商机.电源管理保护使系统仍可稳定运作是首要面对的课题.专注工控DRAM模块与Flash存储装置整合方案的敏博 (MEMXPRO Inc.) 推出断电保护 (Power Plus) TLC固态硬盘 - RT3 ...<全部>

存储技术

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TLC
敏博

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带串行控制的10位模数转换器TLC1549在8051系统中的应用

发布时间：2020-11-23

一.概述TLC1549是美国德州仪器公司生产的10位模数转换器.它采用CMOS工艺.具有内在的采样和保持.采用差分基准电压高阻输入.抗干扰.可按比例量程校准转换范围.总不可调整误差达到±1LSB Max(4.8mV)等特点.1.2 ...<全部>

模拟电路设计

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基于CMOS工艺的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

发布时间：2020-07-07

1概述TLC5510是美国TI公司生产的新型模数转换器件(ADC).它是一种采用CMOS工艺制造的8位高阻抗并行A/D芯片.能提供的最小采样率为20MSPS.由于TLC5510采用了半闪速结构及CMOS工艺.因而大大减少了器件中比较器的数量 ...<全部>

模拟电路设计

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带串行控制的10位模数转换器TLC1549在8051系统中的

发布时间：2020-07-02

一.概述TLC1549是美国德州仪器公司生产的10位模数转换器.它采用CMOS工艺.具有内在的采样和保持.采用差分基准电压高阻输入.抗干扰.可按比例量程校准转换范围.总不可调整误差达到±1LSB Max(4.8mV)等特点.1.2 ...<全部>

模拟电路设计

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SLC.MLC.TLC闪存芯片的区别

发布时间：2020-06-22

SLC.MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸.最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell).原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料.直到MLC(Multi-Level Cell) ...<全部>

嵌入式开发

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SLC.MLC.TLC闪存芯片的区别

发布时间：2020-06-20

SLC.MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸.最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell).原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料.直到MLC(Multi-Level Cell) ...<全部>

技术百科

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TrendForce:明年有望迎来更多采用TLC闪存的PCIe SSD

发布时间：2020-06-18

据市场研究公司TrendForce预测.PCI Express接口的固态硬盘.有望于明年变得更加普及.并成为高端系统的首选.该公司旗下的DRAMeXchange部门也认为.明年市场上将会出现更多机遇3-bit TLC闪存的PICe SSD.尽管相对不 ...<全部>

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TLC
PCIe SSD

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一文解析SLC.MLC和TLC三者的区别

发布时间：2020-06-16

SLC.MLC和TLCOFweek电子工程网讯:X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸.最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell).原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料.直到M ...<全部>

嵌入式开发

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